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PN结相关知识,雪崩二极管的基础知识
分类:科学发明

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。

1. PN结

  采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。

  PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

二极管由PN结组成,P和N都是半导体,因此要了解P型半导体和N型半导体,这两个都属于杂质半导体,先从最原始的本征半导体讲起

PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。

2. 原理-杂质半导体

本征半导体:普通的半导体就是由半导体元素组成,如硅和锗(zhe第三声),最外层四个电子形成共价键,电子受热等便摆脱共价键成为自由电子,原来的位置因为走了一个电子就带正电,变成空穴,然后外加电场,电子定向移动形成电子电流,电子移动时填补空穴,相当于使空穴定向移动,即空穴电流,显然此时空穴浓度等于自由电子浓度,这样的半导体就是本征半导体。

当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。

2.1 N型半导体

  N型半导体(N为Negative的字头,由于电子带负电荷而得此名):掺入少量杂质磷元素的硅晶体中。  由于半导体原子被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。  N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。

 

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。

2.2P型半导体

  P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素的硅晶体中。  由于半导体原子被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。  这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。

杂质半导体:就是把本征半导体掺了杂质提高了导电性,而N型半导体就是掺了五价元素如磷,锑,砷(此时为施主杂质),五价形成共价键还多一个电子,因此导电主要靠电子,称其为多数载流子,空穴为少数载流子,P型半导体,掺了3价元素硼(此时为受主杂质)等,显然此时空穴为多数载流子,自由电子为少数。,

利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管

2.3 PN结的形成

  PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面。  在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。  在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。  由于自由电子和空穴浓度差的原因,有一些电子从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。  它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。  开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。  这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。  由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区形成了内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散。  另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。  从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱。  漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强。  最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。  PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。

 

雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。

3. 特性

P加N便构成PN结,在PN结交界处,由于两边多数和少数载流子相反,有浓度差,产生扩散作用,P型跑出带正电的空穴,进来电子,N型跑进空穴,跑出电子,PN之间就形成电场(自建场)自建场能使载流子作漂移运动,最终漂移运动和扩散运动达到平衡,此时再外加P到N方向的电场,会削弱自建场,扩散作用大于漂移作用,此时PN结导通,反之PN结截止图片 1

图片 2

3.1 特性概述

  从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。  很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。  而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大,PN结不能导通,仅有极微弱的反向电流(由少数载流子的漂移运动形成,因少子数量有限,电流饱和)。  当反向电压增大至某一数值时,因少子的数量和能量都增大,会碰撞破坏内部的共价键,使原来被束缚的电子和空穴被释放出来。  不断增大电流,最终PN结将被击穿损坏,反向电流急剧增大。    图片 3

  这就是PN结的特性(单向导通、反向饱和漏电或击穿导体),也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理,所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。

  比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的;而一个PNP结构则可以形成一个三极管,里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

 

齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大)

3.1 反向击穿性

  PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强。反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁。  反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种,即隧道击穿和雪崩击穿,前者击穿电压小于6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于6V,有正的温度系数。

图片 4

一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管

3.1.1 雪崩击穿

  阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生自由电子—空穴对。  新产生的载流子在强电场作用下,再去碰撞其它中性原子,又产生新的自由电子—空穴对,如此连锁反应,使阻挡层中的载流子数量急剧增加,象雪崩一样。  雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。

PN结的击穿:分为雪崩击穿和齐纳击穿,二者在原理上有些区别,雪崩击穿是电压特别大,少数载流子速度过快将共价键里的电子打出来,形成连锁反应。而齐纳击穿是由于掺的杂志浓度很高,在外加电压不高的时候就已经形成很强的自建场,直接把共价键里的电子拉出来。一般击穿电压大于7v,齐纳击穿小于4v,两者之间则都有,击穿不一定使二极管损坏,损坏一般都是电流过大烧坏的,只要不让电流过大,温度过高击穿就可以恢复

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

3.1.2齐纳击穿

  齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压,结层中的电场却很强(可达2.5×105V/m左右)。  在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子。  它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿。显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离。

 

工作原理

3.1.3 热电击穿

  当pn结施加反向电压时,流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时,对于一定的反向电流所损耗的功率也增大,这将产生大量热量。  如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去,则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿。

PN结的电容效应没怎么用到,用到了再说。。。

在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下获得的能量增大,在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动,重新获得能量,又可通过碰撞,再产生电子–空穴对,这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后,载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样,载流子增加得多而快,这样,反向电流剧增, PN结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。下图是雪崩击穿的示意图。

3.1.4 击穿电压的温度特性

  温度升高后,晶格振动加剧,致使载流子运动的平均自由路程缩短,碰撞前动能减小,必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数。  但温度升高,共价键中的价电子能量状态高,从而齐纳击穿电压随温度升高而降低,具有负的温度系数。  采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5~8V之间两种击穿可能同时发生。

 

图片 5

3.2 单向导电性

二极管的伏安特性曲线

雪崩二极管是一种负阻器件,特点是输出功率大,但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声,是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的,其性质和散弹噪声类似。雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因。

3.2.1 PN结加正向电压时导通

  如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。  电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。  于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流,可忽略漂移电流的影响,PN结呈现低阻性。    图片 6

图片 7这里注意图表 选的是dc sweep 并且发生器设置如下

雪崩二极管如何帮助防止过电压

3.2.2 PN结加反向电压时截止

  如果电源的正极接N区,负极接P区,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于反向偏置。  则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。  内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性。    图片 8

  在一定的温度条件下,由本征激发决定的少子浓度是一定的,故少子形成的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为反向饱和电流。

  PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性。

图片 9

当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时,总会发生过压。例如,当关闭负载电流电路时,集电极

发射极电压突然上升,达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。

常见的过电压保护方法是“有源钳位(active clamping)”。在这种情况下,雪崩二极管用作直接反馈。如果关断导致电感负载过压峰值,则由雪崩二极管传导至IGBT栅极,并且IGBT重新接通。

图片 10

上图显示了基本原理:当电压上升时,二极管被阻断。在耗尽区中,一个自由电子触发雪崩的瞬间,电压突然下降到低于30V的击穿电压电平,雪崩二极管立刻击穿。在重新启动之前,有时只能保持雪崩电流在短时间内稳定,并且电压再次上升。击穿延迟即两次击穿事件之间的时间,是不能预测的。

建议将具有改善噪声性能的雪崩二极管用于有源钳位过压保护,因为它们能够:

˙ 在快速上升的反向电压下,更快击穿

˙ 在低电流时具有更稳定击穿电压,因此:

˙ 延长其它器件的寿命,例如 IGBT或Mosfet,结果:

˙ 为变频器或电机控制器等应用节省成本,因为组件较少需要更换。

雪崩二极管的噪声是如何产生的?

雪崩二极管的噪声来自雪崩的不断接通和断开,即电压峰值的不断产生及其突然击穿。触发雪崩击穿有两个先决条件:

  1. 存在足够的击穿电压以产生用于碰撞电离的临界电场强度。

  2. 存在自由电子,因而形成漏电流。

例如,1.6pA = 1.6 x 10-12A漏电流等于通过阻挡层的电子流速为每秒107电子,这意味着在统计上每100ns只能触发一次雪崩。然而,由于不是每个电子都会触发雪崩,实际上触发时间会更长。因此,触发雪崩击穿的概率与泄漏电流成比例。换句话说:漏电流越大,触发雪崩击穿的概率越高或击穿延迟时间越短。

在两个冲击漏电流电子之间,二极管处的反向电压可以显著上升到高于击穿电压电平。只有当下一个冲击电子触发雪崩时,二极管的电压才会突然下降到击穿电压水平。

如果电压源提供足够的电流,例如 1mA,雪崩击穿可以通过连续的碰撞电离保持自身运行,从而产生稳定的雪崩电流。

但是,如果源电流太低,例如100μA,低于击穿电压电平的雪崩电压突然下降,使得二极管放电,将导致雪崩击穿立即再次停止。这时,需要一定的时间来使二极管和线电容充电,使低源电流达到所需的电压电平,然后下一个电子才能触发新的雪崩。这种雪崩的不断接通和断开导致雪崩二极管击穿的典型噪声。

二极管噪声性能的差异在图中也可见:图中显示了两个Z二极管的击穿电压范围,在100μA的反向电流下测得的击穿电压为30V。其中一个二极管基于标准技术,使用极低的漏电流,另一个则采用“低噪声技术”。具有“低噪声技术”的齐纳二极管具有更稳健的电压特性,优于仅能在短时间内保持恒定雪崩电流的另一个二极管。

威世提供采用“低噪声技术”的Z二极管,这些新一代产品包括SMF、BZD27、BZG 03、BZG04、 BZG05、PLZ 和 VTVS系列,由于适度增加漏电流而明显增加了触发雪崩击穿的可能性,从而降低了噪声,并为用户提供了在低电流时更稳定的击穿电压以及快速上升反向电压的更快击穿。

二极管噪声的更进一步影响因素

漏电流随温度增加而呈指数上升,即噪声随温度升高而降低;光还可以释放二极管耗尽区中的自由电子,从而降低噪声水平。这意味着:四周环境越暗越冷,噪音水平越高。

(免责声明:素材来自网络,由云汉芯城小编搜集网络资料编辑整理,如有问题请联系处理!)

3.3 伏安特性

  PN结的伏安特性如图所示,它直观形象地表示了PN结的单向导电性。    图片 11

  

  伏安特性的表达式为:    图片 12  式中iD为通过PN结的电流,vD为PN结两端的外加电压,VT为温度的电压当量,    图片 13  其中k为波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K),T为热力学温度,即绝对温度,q为电子电荷(1.6×10-19C)。  在常温下,VT≈26mV。Is为反向饱和电流,对于分立器件,其典型值为10-8~10-14A的范围内。集成电路中二极管PN结,其Is值则更小。   当vD>>0,且vD>VT时,    图片 14  当vD<0,且图片 15时, 
    iD≈–IS≈0。

应用

3.4 电容特性

  PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。  它的电容量随外加电压改变,主要有势垒电容和扩散电容。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。

① 二极管构成稳压电路图片 16

3.4.1 势垒电容

  势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时,离子薄层的厚度也相应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化。

  势垒区类似平板电容器,其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷,电荷量随外加电压而变化,称为势垒电容,用CB表示,其值为:

    图片 17  在PN结反偏时结电阻很大,CB的作用不能忽视,特别是在高频时,它对电路有较大的影响。CB不是恒值,而是随V而变化,利用该特性可制作变容二极管。  PN结有突变结和缓变结,现考虑突变结情况,PN结相当于平板电容器,虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄,但这个变化比较小可以忽略,则    图片 18  已知动态平衡下阻挡层的宽度L0,代入上式可得:    图片 19

 

3.4.2 扩散电容

  PN结正向导电时,多子扩散到对方区域后,在PN结边界上积累,并有一定的浓度分布。  积累的电荷量随外加电压的变化而变化,当PN结正向电压加大时,正向电流随着加大,这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求;  而当正向电压减小时,正向电流减小,积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小,这样,当外加电压变化时,有载流子向PN结“充入”和“放出”。  PN结的扩散电容CD描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应。  因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。  刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。  反之,由P区扩散到N区的空穴,在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如右图所示。*    图片 20  CD是非线性电容,PN结正偏时,C*D较大,反偏时载流子数目很少,因此反偏时扩散电容数值很小。一般可以忽略。  PN结电容:PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj= CT+CD,外加正向电压CD很大, Cj以扩散电容为主(几十pF到几千pF),外加反向电压CD趋于零,Cj以势垒电容为主。

这个电路有几个注意的地方:首先,稳压二极管的最大反向电流是根据最大额定功率(power dissipation)除于稳压值得到的,但是稳压管的封装大小也会影响其散热,所以尽量选的最大反向电流宽裕一点,然后就是电阻大小的选择,上面负载的电阻变化范围是300-600,要保证300的时候 稳压管和负载并联电阻值能分到5v以上电压,否则二极管就连反向的稳压电压都没有到5v,自然就没办法稳压到5v了,一般如果5v稳压管反向电压低于5v,电阻就比较大了,所以我觉的只要负载和R1串联能得到5v就行了

4. 应用

  根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。  如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管;  利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;  利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;  利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。  使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。  如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;  利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;  利用光生伏特效应可制成太阳电池。  利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能。  PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心,是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

负载变为最大600欧时,二极管电流增大,要考虑此时的二极管电流,电流不能过大烧坏二极管,至于如何保证不让电流过大,我没想出好的办法,因为这个二极管的电阻是变化的,一开始电阻 很大,慢慢变小,这会使电流变大,但是电阻变小又会使分到电压变小,反过来又会使电流变小,最后达到平衡  我自己想的是这样的:根据P=U^2/R算出极限最小电阻,和最大负载电阻并联,计算此时流过R1的电流,R1的电压根据vcc-稳压值,然后算出R1的大小,R1的实际大小一定要比这个大一些才行

4.1 稳压二极管

  PN结一旦击穿后,尽管反向电流急剧变化,但其端电压几 乎不变(近似为VBR,只要限制它的反向电流,PN结就不会烧坏,利用这一特性可制成稳压二极管,其电路符号及伏安特性如上图所示:其主要参数有: VZ、 Izmin、 Iz、 Izmax。    图片 21

②单相全波整流电路

4.2 变容二极管

  PN结反偏时,反向电流很小,近似开路,因此是一个主要由势垒电容构成的较理想的电容器件,且其增量电容值随外加电压而变化,利用该特性可制作变容二极管,变容二极管在非线性电路中应用较广泛, 如压控振荡器、频率调制等。

图片 22

5. 制造工艺

  PN结是构成各种半导体器件的基础。制造PN结的方法有:  制造异质结通常采用外延生长法。    1)外延方法:突变PN结;    2)扩散方法:缓变PN结;
    3)离子注入方法:介于突变结与缓变结之间;

③构成与门或门

6.PN结的击穿机理

  PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,目前常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压,因此,PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围。  在 PN结两边掺杂浓度为固定值的条件下,一般认为除 super junction 之外平行平面结的击穿电压在所有平面结中具有最高的击穿电压。  实际的功率半导体器件的制造过程一般会在 PN 结的边缘引入球面或柱面边界,该边界位置的击穿电压低于平行平面结的击穿电压,使功率半导体器件的击穿电压降低。  由此产生了一系列的结终端技术来消除或减弱球面结或柱面结的曲率效应,使实际制造出的 PN 结的击穿电压接近或等于理想的平行平面结击穿电压。  当 PN 结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,最终达到耗尽区载流子数目激增,PN 结发生雪崩击穿。    图片 23

图片 24

④双向限幅电路

图片 25这里注意限幅的大小不是1.5而是2.2,因为有二极管的正向压降

⑤发光二极管和光电耦合电路

图片 26计算发光二极管串联电阻:R=Ucc-0.7(正向压降)/I(发光二极管允许电流)

以上仿真用到的所有元件

图片 27

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